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化物解華專精替代
目 錄/ Conte司介紹光面絡(luò)50101521與2光技9全自激激光表切裝備全自封開封裝備
WUHAN HG LERIG C.LTD漢激光工有半導(dǎo)體華工者、引激備造案提供是高科技市公司華司制造領(lǐng)域轉(zhuǎn)型升術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動、互，為造決司品及費電、智半通等眾多經(jīng)濟重要憑前瞻的鏈優(yōu)龐助您激加領(lǐng)不斷突，在無后化飛、、、打孔汽行新業(yè)動力、耳動、釘、電品C載M除、全自動覆蓋膜切割Company Introduction司創(chuàng)新聯(lián)動美好世界 Innovatis a Bterl2
3專注iCA等化合半材料的加工領(lǐng)憑借先進的燒光改光火核工藝，公戶化合物導(dǎo)體前后道制程圓光精刻退火、開表切割、一產(chǎn)替，解決行業(yè)脖子題導(dǎo)體面部Smiconductor&Displon們的愿景致力成為進激工備行業(yè)先品！
導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用在化以S首硬性高（僅次于金剛石），其在傳統(tǒng)機械切割造極易產(chǎn)生崩邊、微裂情大響芯片品最率成，工激應(yīng)市場針對高度化合晶圓工，提供一整套激光工決方藝：光火剝離、標刻等，適用化的光納及下導(dǎo)晶光片、圓I、晶圓等案。的元素半導(dǎo)體和化物半（如SCInPGA）在產(chǎn)界把半展：材料為第代導(dǎo)；以化的第二導(dǎo)體；以及近年來半的，以化硅、為代代導(dǎo)半導(dǎo)件（芯傳統(tǒng)硅鍺材耐用新汽車軌交通能電及機領(lǐng)域系材應(yīng)用第一代以硅（Si）、鍺（Ge）為代表成本應(yīng)用范圍廣泛集成電路、中低壓和中低頻晶體管（分立器件）等代（GaAs）n）為代較好材料特征、源稀缺、有毒性染性光光顯示、光測器、米器件三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）n、金石（C的子遷移率、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、目前成本較高、新站The Apcan oaser micro-nanrcescnonry5
新車充電樁變器軌道交通行應(yīng)用6原材料襯底材料材料晶外延前工（芯片制程）藝封測程）集成上游中游芯片封裝系統(tǒng)用觸激光退火晶圓襯底D標記光改質(zhì)切割晶圓息標記溢膠去封晶激
激光工術(shù)/ 激蝕（ser Altio高的聚焦脈激熱料升到沸點，形等蒸材料上形成口。Laser Processing Technology原理勢非觸能完成傳統(tǒng)加無法實復(fù)工藝異/激光質(zhì)量好，斑小，工熱影響較小，更細/燒效率高，適應(yīng)類的激光工強，產(chǎn)品多樣變化便實現(xiàn)制造速鏡射鏡切頭Shor pulse lao
/ 激光改質(zhì)（Laser Modifican）定波長的激光束傳形聚焦在材內(nèi)部，極高的功率密形光改質(zhì)的裂片或劈刀片等方使割軌跡。原：/激光接加機械應(yīng)力對材料破材料下表面無燒痕跡，切寬度幾乎為零屬損/蜿蜒陷，粉塵顆粒生/加率較統(tǒng)機工，尤的材料 激光火（Lenln利學整形和聚焦后的光照材料表面時間秒級別）內(nèi)使料（表達退火激活溫度，生物理或化反而達退激活目。：勢：/相傳退可選區(qū)域退火性率高退火更好/適應(yīng)同材、不的退火便性/傳高t al, Apli. Ps. A(1tlsaserocusinWrkpieced
主要用于晶圓標記、D標記，利用定制激光對晶進行部加，通過表層質(zhì)蒸發(fā)露出深層物質(zhì)，或者通光能導(dǎo)表層物學物變文字、條形碼等各類圖形，高速度快、。全自晶圓激裝備L320/UV3設(shè)備特點置SEMI標準的動上下系高度CCD視覺/選不同（紫光、）同 材料規(guī)格光標工藝置高效高化09
樣品示LUV3220/LUV3320設(shè)備參其他領(lǐng)C晶圓、器等通信方ECS設(shè)備尺寸(LxWxH)140設(shè)備重量T要LUV320/U320心長外、光紅外 （納秒皮秒選）輸5W@軟標0W標上下料上下料械料I M12、M13、7晶圓型6/12-inca重10激光刻圖
通過機臺置EFEM系統(tǒng)預(yù)位，結(jié)合定制激光退火頭和精密運動平臺相運，實現(xiàn)整片SC晶圓背金）火，形良好歐接觸，降低接觸電阻，提高器件電學性能。全自L2特點設(shè)備過SE行業(yè)認證/置導(dǎo)體準的EF置系統(tǒng)/足退后比接電阻率于1-20 Ω.c/火碳少，非火面溫度<111
樣展示LUA3200其他應(yīng)用領(lǐng)域SiC功率器SMI行業(yè)SEMI行業(yè)標準通式SECS/GEM標準設(shè)備尺寸(LxWxH)30m00mm主要參數(shù)設(shè)備號LUA300激光光源綠光、紫（）均功0上下方自下、EM系統(tǒng)性工材料i/C、Ti加尺寸率-5<析情無備iC/背金火退-
動晶圓激光切割設(shè)備通過多組高度CD視覺機定整片實現(xiàn)對6-8尺不晶粒規(guī)格識別和定位，結(jié)合紫外激光和精密運動平臺相對運動實現(xiàn)對片晶圓的正面/全切、劃線、開槽）。全自動晶圓激光表切裝LUD20備點/備通過SEI半導(dǎo)行認置自動覆護液、純水清、干成單元配有導(dǎo)搬檢系統(tǒng)寸晶圓正切背切，及殘片動切割
樣品展示設(shè)備參數(shù)參設(shè)型號UD3220光綠或紫外（納、皮秒選配）上下料方式自動上下料、CST2CST性能體（SiC等）加工8英及下工度≥300m/加精±5μm加流覆護液-激加工-純清洗-吹干其他應(yīng)用領(lǐng)域率器件、器光件等SEM行M業(yè)準認SG準備(LH12mx1965mmx2S后S
通組精度CCD視覺相機定位片晶圓實現(xiàn)對6-8英尺不同粒規(guī)格晶圓自動識別和定位，結(jié)合定制超快激光密運平臺相對運動，質(zhì)（隱）再過用裂片，實對晶圓的全切和晶分。全自改切備USD33設(shè)特點/備通過SI半行業(yè)認證置動圓搬及點補償（DT）及動焦統(tǒng)化視覺切割軟件模塊應(yīng)不圓 15
LUS330設(shè)參數(shù)參數(shù)設(shè)備型號LSD331光光源快激光（功率<10W）上下料方式自動下料、CST2加工性能加工材導(dǎo)電、型Si加工寸8英以下加工速≥500mm/s工精±3焦功能焦點補償能領(lǐng)Si功率i射SE行業(yè)標準SEMI行業(yè)標準認通信方式SECE準備尺寸WxH)1550m201正
本主要用于iC、iGaAs陶、玻璃等晶圓激割后的晶圓晶粒劈裂工藝，進行高精度、高效率分。特點可現(xiàn)值，工只需要行隔的料上下料/CD進行自動修正，證設(shè)備速精劈/區(qū)全破，省作種劈裂模/換刀操作一鍵，更后片刀乎不圓片裝備HUD3010
HD01樣品展備數(shù)主要參數(shù)設(shè)備型HU3010圓尺寸4-6英寸適用鐵環(huán)標配外2289m晶圓厚度范圍（u）0um~40u（碳、氮化鎵、、藍寶、璃等材料加性能劈效果檢不同方式行償C定位CD來下位置換可以自動（4種路可選）/手動劈裂方一鍵刀一自動換信備尺寸(x160 m760 m膜后
激光開設(shè)備利高量的激光束對芯片的表面進蒸氣化、化學作用、灼燒等各種手段，從而移除芯封層暴露芯引線、框架、甚至基板，于進失效析。封裝模激光開封裝LUS21設(shè)備特點/光可程除，移除范~00μm無燒結(jié)/最大加工到20020m的開封監(jiān)觀察可以時并記過程無極變聚，夠清晰觀測到開芯狀況19
LUS3210其他煙塵過濾器濾，703/h，0.的粒濾效率≥98%以上應(yīng)用領(lǐng)域IGBT封裝體、SiC封裝體等設(shè)備尺寸(LxH)35x1000mmx65mm設(shè)備重2主參數(shù)設(shè)備型號S20激波長紅外激光器類脈沖光纖激光器性能范00x100同軸繪圖CC軸圖視觀無燈光源，明度旁全局監(jiān)控控無倍視覺封前開封前品備芯封裝體激20
遍布全服務(wù)網(wǎng)絡(luò)Govce NetworAtraia 澳大利USA IndiaVitnam越南 Thaln泰國eaJap日本Ca加拿 Uneno英國Pakista坦Plpes菲賓exi墨西哥razl巴西Argentina阿廷eay國olndy土耳其pt埃及alynni印西U.阿Sth Afcahia Wuh依的產(chǎn)品體系、高效的交付善后享的全球化戰(zhàn)略，在國內(nèi)外擁服國內(nèi)利、韓越南、菲律賓均設(shè)有銷售和服務(wù)機構(gòu)，在英國、德國、波蘭、匈牙利、意大利阿廷均完戶+銷售服務(wù)中心國內(nèi)大海外研發(fā)中心15萬余平方米
23高服務(wù)與支持技術(shù)支持客戶的和具建設(shè)案，戶同建設(shè)穩(wěn)定的應(yīng)用環(huán)境。服務(wù)咨詢服務(wù)、技術(shù)支持項評估、免費訓(xùn)。全方位服務(wù)管理系和健全的服務(wù)流是保優(yōu)服的礎(chǔ)。程務(wù)為客戶提供現(xiàn)安裝、調(diào)試試驗、維護修服務(wù)，以實現(xiàn)目中系環(huán)、安要求售合規(guī)定期護內(nèi)提免修，響應(yīng)所提出術(shù)持及維求，確保常使Svicport
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